絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊用AMB氮化鋁陶瓷覆銅基板團體標準起草會議
發(fā)布時間：
2020-08-26
2018年06月15號，IGBT模塊封裝用氮化鋁陶瓷基板技術標準研討會在無錫白金漢爵大酒店順利召開并取得了圓滿成功。會議由中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、無錫天楊電子有限公司主辦，來自全國電力電子標準委員會、工信部標準化研究院、中車時代電氣股份有限公司、中車永濟電機半導體分公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體所、江蘇宏微科技股份有限公司、上海申和熱磁電子有限公司、浙江德匯電子陶瓷有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司、江蘇中科君芯科技有限公司等單位的20余人參加了本次會議。
2018年06月15號，IGBT模塊封裝用氮化鋁陶瓷基板技術標準研討會在無錫白金漢爵大酒店順利召開并取得了圓滿成功。會議由中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、無錫天楊電子有限公司主辦，來自全國電力電子標準委員會、工信部標準化研究院、中車時代電氣股份有限公司、中車永濟電機半導體分公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導體所、江蘇宏微科技股份有限公司、上海申和熱磁電子有限公司、浙江德匯電子陶瓷有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司、江蘇中科君芯科技有限公司等單位的20余人參加了本次會議。
會議開始，中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長肖向鋒、無錫天楊電子有限公司總經(jīng)理余曉初為會議致辭。接下來會議就IGBT模塊封裝用氮化鋁陶瓷基板的技術標準進行了研討，并初步形成IGBT模塊封裝用氮化鋁陶瓷基板的技術標準草案。本次會議成功召開有助于推動功率半導體陶瓷基板產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展。
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